特許
J-GLOBAL ID：200903048837597577
混成集積回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 智廣 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-257106
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111299
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 小型化や開発の容易性等の利点を損なうことなく誤動作を生じない混成集積回路を提供することにあり、また、ボンディングワイヤの状態を、それを固定した後で目視検査することができる混成集積回路を提供することにある。【構成】 複数の接続端子を有する配線パターンを備えた回路基板と、その上に固定される複数の半導体集積回路チップと、これら半導体集積回路チップと接続端子との間を電気的に接続するボンディングワイヤとを具備する混成集積回路において、各半導体集積回路チップとそれに接続されるボンディングワイヤ及び接続端子とを絶縁性材料からなる第一の封止層で覆うと共に、これら複数の半導体集積回路チップの内少なくとも一つの半導体集積回路チップについてはその第一の封止層を更に導電性材料からなる第二の封止層で被覆し、この第二の封止層を回路基板の接地導体に接続する混成集積回路である。
請求項（抜粋）：
複数の接続端子を有する配線パターンを備えた回路基板と、その上に固定される複数の半導体集積回路チップと、これら半導体集積回路チップと接続端子との間を電気的に接続するボンディングワイヤとを具備する混成集積回路において、各半導体集積回路チップとそれに接続されるボンディングワイヤ及び接続端子とを絶縁性材料からなる第一の封止層で覆うと共に、これら複数の半導体集積回路チップの内少なくとも一つの半導体集積回路チップについてはその第一の封止層を更に導電性材料からなる第二の封止層で被覆し、この第二の封止層を回路基板の接地導体に接続したことを特徴とする混成集積回路。
IPC (4件)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
