特許

J-GLOBAL ID：200903048837882000

プラズマ処理装置

発明者： 西本 伸也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-145728
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338492
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】 ガス流路や真空断熱用空間等の空間内で発生する異常放電を従来に比べて大幅に削減することができ、良好なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 載置台2の載置面と半導体ウエハWの裏面との間に温調用ガスを供給するための温調用ガス流路9には、内部をガスが流通可能とされた通気性を有するセラミックス多孔体からなり、放電を防止するための温調用ガス流路用の放電防止部材10が設けられている。シャワーヘッド14のガス拡散用空隙17内には、内部をガスが流通可能とされた通気性を有するセラミックス多孔体からなり、放電を防止するための処理ガス流路用の放電防止部材20が設けられている。真空断熱空間8内(排気装置に接続される排気流路の部位)にも、同様な真空断熱空間用の放電防止部材30が設けられている。

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容してプラズマ処理するための真空チャンバと、前記真空チャンバ内にプラズマを発生させるための機構と、放電が起こり得る空間に設けられ、内部をガスが流通可能とされた通気性を有するセラミックス多孔体からなり当該空間内における放電を防止するための放電防止部材とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 101 B

Fターム (25件)：

4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA20 ,  4K030KA43 ,  4K030KA46 ,  4K030LA11 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BC08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045EC08 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH14 ,  5F045EM02