特許

J-GLOBAL ID：200903048839863487

化合物半導体の量子細線形成方法

発明者： 姜 準 模
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 斎藤 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-350121
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026888
出願日： 1997年12月04日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 多量に量子細線が形成できる化合物半導体の量子細線形成方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体基板が提供され、この基板上にA1X Ga1-X As層とGaAs層とが順次的に所定の層数だけ交互に形成されて量子井戸が形成される。次いで、最上部のGaAs層に一定間隔に離隔する溝が所定の深さに形成され、前記量子井戸に応力を加えて転移現象を発生させ、これによりGaAs層がA1X Ga1-X As層で囲まれて、多数の量子細線が形成される。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板を提供する段階と、前記化合物半導体基板上にA1X Ga1-X As層とGaAs層とを順次,所定の層数だけ交互に形成して量子井戸を形成する段階と、前記最上部のGaAs層に一定間隔毎に離隔して所定の深さの溝を形成する段階と、前記量子井戸に応力を加えることにより転移現象を発生させ、これにより前記GaAs層がA1X Ga1-X As層で囲まれるようにして多数の量子細線を形成する段階とを備えることを特徴とする化合物半導体の量子細線形成方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-119195
  
• 特開昭56-071989
  
• 特開昭57-026490