半導体ウェハの研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154146
公開番号（公開出願番号）：特開平11-347923
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：

【要約】【課題】高い歩留まりで高品質の半導体ウェハが得られる半導体ウェハの研磨方法を提供する。【解決手段】キャリア6のホール4の内径が被加工物の外径より1.0mmから5.0mm大きなクリアランスを有するため、キャリア6と被加工物5との接触が極力少なくなり、かつ、キャリア6のホール4内で被加工物5が自転できるのでチッピングが少なくなり、高い歩留まりで高品質の半導体ウェハ5が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの両面を同時に研磨加工する半導体ウェハの研磨方法において、ホールの内径が被加工物である半導体ウェハの外径よりも1mmから5mm大きいキャリアで上記半導体ウェハを保持し、上記半導体ウェハの両面を研磨加工することを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。

IPC (2件)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 621

FI (2件)：

B24B 37/04 C , H01L 21/304 621 A

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