特許

J-GLOBAL ID：200903048844513486

GaN系化合物半導体のエピタキシャル成長方法

発明者： 元木 健作 ,  松島 政人
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166555
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001395
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】原料ガスに渦流を生起させることにより、均一性に優れたGaN系化合物半導体を化合物半導体基板上にエピタキシャル成長させる方法の提供。【解決手段】本発明では、化合物半導体(GaAs)製の半導体基板(2A)の周辺に、ガリウム(Ga)を含む第1のガス(GaCl)及び窒素(N)を含む第2のガス(NH3 )が導入される際、排気と逆方向から噴出される水素(H2 )含有ガスのカウンタフローCF、及び/又は、ノズル31の開口部32に施された切欠き33による下降ガス流HFが引金になって、渦流EFが生起させられる。この渦流EFによって、これらのガスは十分に攪拌及び混合が行われるので、均一性に優れた窒化ガリウム(GaN)を基板(2A)上にエピタキシャル成長することができる。なお、キャリアガスには水素(H2 )ガスが用いられる。

請求項（抜粋）：

ガリウム(Ga)を含む第1のガス及び窒素(N)を含む第2のガスを化合物半導体基板の上に導入して該基板上に窒化ガリウム(GaN)をエピタキシャル成長させるGaN系化合物半導体のエピタキシャル成長方法において、前記基板の上で第1及び第2のガスに渦流を生起させることによってGaNをエピタキシャル成長させることを特徴とするGaN系化合物半導体のエピタキシャル成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205