特許

J-GLOBAL ID：200903048846601749

パターンマツチング装置

発明者： 大窪 和生 ,  手操 弘典 ,  伊藤 昭夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258140
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101166
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】本発明は、電子ビーム装置で電子ビームを試料上に走査して得られた二次電子像の配線パターンとCADデータ上の配線パターンとのパターンマッチングを行う装置に関し、パターンマッチングを容易かつ短時間で行うことを目的とする。【構成】二次電子像をX軸上に投影した輝度分布B(X)からエッジ度E(X)を求め、このエッジ度E(X)とCADデータ上の一次元エッジ位置Xi 、i=1〜nとのパターンマッチング度V=E(X1 )+E(X2 )+・・・+E(Xn )を求め、エッジ位置Xi 、i=1〜nを、二次電子像倍率精度、試料位置決め精度及び配線幅拡縮に基づいて変化させたときパターンマッチング度が最大となる二次電子像倍率誤差及び試料位置決め誤差を求める。

請求項（抜粋）：

電子ビーム装置(1)で電子ビームを試料(2)上に走査して得られた二次電子像の配線パターンとCADデータ上の配線パターンとのパターンマッチングを行うパターンマッチング装置において、該CADデータ上の直交座標系の一方の軸Yに平行な配線パターンエッジの位置Xi 、i=1〜nを検出するエッジ位置検出手段(3)と、該二次電子像が格納される二次電子像記憶手段(4)と、該二次電子像上の直交座標系の一方の軸Yに平行な直線に沿って該二次電子像の輝度を加算した投影輝度B(X)を求める投影輝度分布作成手段(5)と、該投影輝度B(X)から配線パターンのエッジ度E(X)を検出するエッジ度検出手段(6)と、該エッジ位置Xi 、i=1〜nと該エッジ度E(X)との相関の程度をパターンマッチング度Vとして求めるパターンマッチング度算出手段(7)と、該CADデータ上の配線パターンのエッジ位置Xi 、i=1〜nを、二次電子像倍率精度、試料位置決め精度及び配線幅拡縮に基づいてXi-ai≦Xi≦Xi+biの範囲で変化させたときパターンマッチング度が最大となる二次電子像倍率誤差及び試料位置決め誤差を求める誤差検出手段(8)と、を有することを特徴とするパターンマッチング装置。

IPC (3件)：

G06F 15/62 405 ,  G06F 15/70 450 ,  H01L 21/66