特許
J-GLOBAL ID:200903048857161724

太陽電池の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-143383
公開番号(公開出願番号):特開2000-332272
出願日: 1999年05月24日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【課題】 電極を半田で被覆する際に、半田ブリッジや半田玉が生じることを極力低減する。【解決手段】 半導体基板の一主面型と他の主面側に異なる導電領域を形成して一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成して、これら電極を半田で被覆する太陽電池の形成方法において、前記表面電極を半田で被覆する際に、前記表面電極の一部にレジスト膜を塗布して半田で被覆したり、前記表面電極の一部を切除して半田で被覆する。
請求項(抜粋):
半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して一主面側にバスバー部とフィンガー部とから成る表面電極を形成すると共に、他の主面側に裏面電極を形成して、これら電極を半田で被覆する太陽電池の形成方法において、前記表面電極を半田で被覆する際に、前記表面電極の一部にレジスト膜を塗布して半田で被覆することを特徴とする太陽電池の形成方法。
Fターム (6件):
5F051CB27 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA16 ,  5F051FA30 ,  5F051GA04
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 特開昭60-239067
  • 光起電力装置の電極構造
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-272608   出願人:三洋電機株式会社
  • 特開昭59-119769
全件表示
審査官引用 (11件)
  • 特開昭60-239067
  • 特開昭60-239067
  • 特開昭60-239067
全件表示

前のページに戻る