特許

J-GLOBAL ID：200903048858800712

自己電力源デバイス

発明者： スチーヴン ジェー.ヒレニウス
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255226
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127298
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 本発明は少なくとも1個の基板、基板上に形成された少なくとも1個の放射性電力源及び基板上に形成された集積回路を有する自己電力源デバイスを、実現する。【解決手段】 放射性電力源は第1の伝導形の第1の活性層、第2の伝導形の第2の活性層を含む。第1及び第2の活性層は、空乏層を形成する。トリチウム含有層はベータ粒子を供給し、それは空乏層に侵入し、電子-正孔対を発生する。電子-正孔対は空乏層中の電界により掃引され、電流を発生する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1個の基板;電流を生成するため、少なくとも1個の基板上に形成された少なくとも1個の放射性電力源;及び少なくとも1個の基板上に形成され、少なくとも1個の放射性電力源からの電力を受けるのに適した集積回路を含む自己電力源デバイス。

IPC (3件)：

G21H 1/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

G21H 1/06 ,  H01L 27/04 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-035691
  
• 特開昭54-038783
  
• 特開昭48-095793
  
• 特公昭48-042398