特許

J-GLOBAL ID：200903048869441587

二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をケミカルメカニカル研磨するための組成物及び方法

発明者： サラ・ジェイ・レーン ,  ブライアン・エル・ミューラー ,  チャールズ・ユ
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218642
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041535
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】STI加工のための二酸化ケイ素および窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための、改善されたディッシング性を有する組成物および方法を提供する。【解決手段】カルボン酸ポリマー0.01〜5重量%、砥粒0.02〜6重量%、ポリビニルピロリドン0.01〜10重量%、カチオン性化合物0〜5重量%、双性イオン化合物0〜5重量%及び残余としての水を含み、ポリビニルピロリドンが100g/mole〜1,000,000g/moleの平均分子量を有する半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な水性組成物を使用する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するのに有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー0.01〜5重量%、砥粒0.02〜6重量%、ポリビニルピロリドン0.01〜10重量%、カチオン性化合物0〜5重量%、双性イオン化合物0〜5重量%及び残余としての水を含み、前記ポリビニルピロリドンが100g/mole〜1,000,000g/moleの平均分子量を有する組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17