半導体ウェハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191496
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045594
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】ウェハ処理工程において、オリエンテーションフラットでの欠けの発生を低減し、欠けに起因するウェハ割れによる歩留りの低下を抑える。【解決手段】へき開面2で形成したオリエンテーションフラット6に、部分的に面取りを施して面取部1を形成し、欠けに弱いへき開面2と欠けに強い面取部1とを混在させる。このようにしてオリエンテーションフラット6部における欠け発生の確率を低減する。

請求項（抜粋）：

外周に形成したへき開面に部分的に面取りを施した半導体ウェハ。

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