特許

J-GLOBAL ID：200903048876193530

不揮発性半導体メモリのデータ書換方法

発明者： 崎下 晴康
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-313514
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124089
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 過剰消去が発生する場合でもすべてのメモリトランジスタを使用して確実に読出しを行えるようにする。【解決手段】 フラッシュメモリなどでは、ブロック単位などで一括して消去動作を行うことから、しきい値電圧のばらつきに起因して過剰消去状態のメモリトランジスタが発生する。これに対応して、データの書込み処理時に、書込みビットを通常の書込み電圧で処理すると共に、未書込みビットに対応するものについても、弱い書込み条件で書込み処理を行うことで、しきい値電圧が0Vを超えるようにする。これにより、読出し動作時にしきい値電圧が0V以下の過剰消去のメモリトランジスタがなくなり、確実に読出しを行うことができるようになる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリトランジスタの記憶データを一括消去した上で書込みを行うようにした不揮発性半導体メモリのデータ書換方法において、前記一括消去されたメモリトランジスタに対してデータの書込処理を行う場合に、未書込み状態に対応したメモリトランジスタについても弱い書込み処理を行うことでそのしきい値電圧を非読出し電圧以上となるようにしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリのデータ書換方法。

FI (2件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 A

Fターム (6件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08