特許

J-GLOBAL ID：200903048884351225

半導体装置

発明者： 山本 憲郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215159
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055202
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】本発明は、PSG膜等のカバー絶縁膜で被覆された薄膜抵抗体を有する半導体装置に関し、歪みによる抵抗値の経時変化が低減された薄膜抵抗素子を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】基板15上の薄膜抵抗体20のカバー絶縁膜としてECRプラズマCVD法又は他のプラズマCVD法により形成されたPSG膜、又はSiO2膜22が用いられていることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

基板上の薄膜抵抗体のカバー絶縁膜としてECR(ElectronCyclotron Resonance)プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法又は他のプラズマCVD法により形成されたPSG膜、又はSiO2膜が用いられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06