特許

J-GLOBAL ID：200903048899070591

半導体赤外線検出素子

発明者： 和田 守夫
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198096
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016280
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 暗電流が小さく、高いS/Nを有する半導体赤外線検出素子を提供する。【解決手段】 GaAs又はInPからなる化合物半導体基板上に光吸収層を積層した半導体赤外線検出素子において、前記化合物半導体基板表面の面方位を(111)A面とした。

請求項（抜粋）：

GaAs又はInPからなる化合物半導体基板上に光吸収層を積層した半導体赤外線検出素子において、前記化合物半導体基板表面の面方位を(111)A面としたことを特徴とする半導体赤外線検出素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/0264

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/08 L

Fターム (20件)：

5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049PA04 ,  5F049PA09 ,  5F049QA18 ,  5F049SS04 ,  5F049SS09 ,  5F049WA01 ,  5F088AA02 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088BA03 ,  5F088BA04 ,  5F088CB04 ,  5F088CB09 ,  5F088DA14 ,  5F088GA05 ,  5F088LA01