特許

J-GLOBAL ID：200903048899269754

半導体装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者： 入口 千春
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348502
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151702
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 PINフォトダイオ-ドと、MOS型トランジスタとを一体化させた素子を、SOI基板等に形成することを可能とすることによって、高感度且つ省電力性に優れた半導体装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することを課題としている。【解決手段】 PINフォトダイオ-ド1aのp形領域45と、i領域42と、n形領域43とを、シリコン膜4に対して水平方向に並んで形成したことによって、PINフォトダイオ-ド1aとMOS型トランジスタ1bとを一体化させた素子を、SOI基板20に形成することを可能とし、さらに、PINフォトダイオ-ド1aのn形領域43と、MOS型トランジスタ1bのソ-スとを同一のn形領域43を利用して形成し、前記一体化させた素子をマトリックス状に配設する。

請求項（抜粋）：

光の強さに応じた光電流を発生するPINフォトダイオ-ドと、前記光電流を取り出すためのMOS型トランジスタとを一体化させた素子を有する半導体装置であって、前記素子は、絶縁膜上に半導体膜を積層した基板に形成されており、前記PINフォトダイオ-ドのp形領域と、i領域と、n形領域とが、前記半導体膜に対して水平方向に並んで形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 29/78 613 Z ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 A

Fターム (42件)：

4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA30 ,  4M118CA05 ,  4M118CA32 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA03 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-071271
  
• 特開平4-150068
  
• 特開昭51-081584