特許
J-GLOBAL ID：200903048904116406
半導体エネルギー検出器の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052176
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268243
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、エネルギー線入射に対する感度のユニフォミティーが高い半導体エネルギー検出器を提供することを目的とする。【構成】 N型のシリコンサブストレイト(11)の上面にP+ 型の高不純物層(12)を形成する第1の工程と、高不純物層(12)の上面にP型の不純物層(13)をエピタキシャル成長させる第2の工程と、不純物層(13)の上面に電荷読出部(14)を形成する第3の工程と、シリコンサブストレイト(11)の裏面を化学エッチングにより除去してエッチング面をエネルギー入射部(16)とする第4の工程とを備える。
請求項（抜粋）：
エネルギー線を裏面から入射して、そのエネルギー量を検出する半導体エネルギー検出器の製造方法において、N型のシリコンサブストレイトの上面にP+ 型の高不純物層を形成する第1の工程と、前記高不純物層の上面にP型の不純物層をエピタキシャル成長させる第2の工程と、前記不純物層の上面に電荷読出部を形成する第3の工程と、前記シリコンサブストレイトの裏面を化学エッチングにより除去してエッチング面をエネルギー入射部とする第4の工程とを備えることを特徴とする半導体エネルギー検出器の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/00 A
, H01L 27/14 K
