特許
J-GLOBAL ID：200903048912413657
成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295581
公開番号（公開出願番号）：特開平7-150354
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月13日
要約：
【要約】【目的】DCスパッタ法による成膜後の薄膜の膜厚を成膜に影響を与えずに、ただちに測定する。【構成】制御装置9は、処理時間が経過したら、スイッチ10を制御して、タ-ゲット4に供給する電源を、DCスパッタ用のDC電源5より、膜厚測定用バアイアス電源6に切り替えると共に、紫外線源8を制御し、成膜した基板3に紫外線を照射し、基板表面から光電子を放出させる。放出した電子は膜厚測定用バアイアス電源6によってプラスのバイアスを掛けられたタ-ゲット4で補捉される。電流計7は、この放出されタ-ゲットで捕捉される電子によって流れる電流を測定する。制御装置9は、測定した電流値より、あらかじめ記憶しておいた膜厚と電流値の関係に基づき、膜厚を求める。、制御装置9は、求まった膜厚と、所望の膜厚との差分に基づいて、次回の処理時間を補正する。
請求項（抜粋）：
処理室内に設置された基板上に薄膜を生成する成膜装置であって、処理室内の成膜後の基板表面に紫外線を照射する紫外線源と、前記照射された紫外線による光電効果によって表面から放出する光電子を捕捉する、処理室内に設けられた電極と、前記基板に対して相対的に高い電圧を前記電極に供給する膜厚測定用電源と、前記電極に流れる電流量より、成膜した薄膜の膜厚を測定する手段とを有することを特徴とする成膜装置。
IPC (5件)：
C23C 14/54
, G11B 5/84
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/66
