特許
J-GLOBAL ID：200903048913486909
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-075005
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274411
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、容易に電流狭窄および導波路構造を作り付けることができる量産性に優れた窒化物系化合物半導体レーザ素子を提供することにある。【構成】 AlNバッファ層3もしくはGaNバッファ層を成長した領域と成長していない領域をサファイア基板上1に形成後、窒化物系化合物半導体層4〜8から構成されるレーザ構造を結晶成長する。【効果】 本発明によれば、光軸方向のみにバッファ層を形成したサファイア基板上に窒化物系化合物半導体層から構成されるレーザ構造を結晶成長することによって、自己導波路構造の形成による光の閉じ込めとキャリアの閉じ込めを行うことができる。この結果、低注入キャリア密度によって横モードが制御されたレーザ光を得ることができる。
請求項（抜粋）：
AlNバッファ層もしくはGaNバッファ層を成長した領域と成長していない領域を形成したサファイア基板上に窒化物系化合物半導体層から構成されるレーザ構造を結晶成長したことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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