特許

J-GLOBAL ID：200903048926790330

半導体装置の製造方法およびその製造装置

発明者： 水島 賢子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-055518
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252233
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の銅配線形成技術に関し、銅めっき厚さが均一化する製造方法および製造装置の提供を目的とする。【解決手段】 めっき浴中において、全面に被めっき領域をもつ被処理体1に通電用電極2を接触させるとともに、被処理体1に対する通電用電極2の接触位置を駆動手段5によって変化させながら電気めっきを施すように構成する。

請求項（抜粋）：

めっき浴中において、全面に被めっき処理域をもつ被処理体に通電用電極を接触させるとともに、該被処理体に対する該通電用電極の接触位置を変化させながら電気めっきを施す工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/288 ,  C25D 5/04 ,  C25D 7/00

FI (3件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 5/04 ,  C25D 7/00 G

Fターム (14件)：

4K024AA09 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA16 ,  4K024CB02 ,  4K024CB09 ,  4K024CB13 ,  4K024CB21 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20