特許
J-GLOBAL ID：200903048933761841
低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 三千雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276597
公開番号（公開出願番号）：特開平6-040767
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：
【要約】【目的】 比誘電率が高く、無負荷Qが大きく、共振周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、Agの融点以下の焼成温度で焼結が可能な低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法を提供する。【構成】 BaO、TiO2 、RE2 O3 (REは希土類金属)から主として構成される主成分磁器組成物に対して、副成分として、少なくともB2 O3 粉末またはB2 O3 をガラス成分の一つとして含むガラス粉末を添加せしめて、誘電体磁器組成物を製造するようにすると共に、前記主成分磁器組成物を与える原料組成物を1050°C以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が0.8μm以下となるように微粉砕して、該主成分磁器組成物を製造した後、前記副成分を添加する。
請求項（抜粋）：
BaO、TiO2 、RE2 O3 (但し、REは希土類金属を示す)から主として構成される主成分磁器組成物に対して、副成分として、少なくともB2 O3 粉末またはB2 O3 をガラス成分の一つとして含むガラス粉末を添加せしめて、誘電体磁器組成物を製造するようにすると共に、前記主成分磁器組成物を与える原料組成物を1050°C以上の温度で仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が0.8μm以下となるように微粉砕して、該主成分磁器組成物を製造した後、前記副成分を添加することを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法。
IPC (3件)：
C04B 35/46
, H01B 3/02
, H01B 3/12 318
