特許

J-GLOBAL ID：200903048933998540

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 佐藤 友美 ,  小坂 雄二 ,  伊藤 勝彦 ,  清水 博文 ,  神山 孝光 ,  渡辺 啓一 ,  徳永 謙二 ,  中村 敦司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234447
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121399
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の表面に形成される素子分離酸化膜のバーズビークを抑制する。【構成】 窒化シリコン膜3をイオン注入のマスクにして半導体基板1に酸素4を注入し、次いで窒化シリコン膜3を酸化のマスクにして半導体基板1を熱処理することによって素子分離酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶からなる半導体基板の表面に薄い酸化膜を形成した後、前記酸化膜の上部の所定領域に窒化シリコン膜を形成する工程、前記窒化シリコン膜をイオン注入のマスクにして前記半導体基板に酸素を注入する工程、前記半導体基板を熱処理することにより、前記半導体基板の表面の所定領域に素子分離用の厚い酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331