トランジスタ基板、表示装置及びそれらの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-201925
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123571
出願日： 2004年07月08日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】従来のレーザアニール法により結晶化された多結晶シリコンは、移動度が等方性を有するので、画素内に移動度が異なるトランジスタを配置する場合に、一方のトランジスタサイズを他方のトランジスタサイズと比較して極端に大きくしなければならなかった。このため、トランジスタが占める面積が大きくなり、開口率を下げていた。【解決手段】横方向に結晶させた多結晶シリコンをトランジスタの半導体層として用いる。この多結晶シリコンの移動度は異方性を有するので、一方のトランジスタの導電方向と他方のトランジスタの導電方向を異ならせることによって、同層の半導体層を用いながらも移動度の異なるトランジスタを得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の方向に延在する第1のチャネル領域を有する第1のトランジスタと、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2のチャネル領域を有する第2のトランジスタを含むトランジスタ基板において、前記第1及び第2のチャネル領域は同層の半導体層からなり、前記半導体層は、前記第1の方向における移動度と前記第2の方向における移動度が異なることを特徴とするトランジスタ基板。

IPC (5件)：

H01L21/336 , G09F9/30 , H01L21/20 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (7件)：

H01L29/78 627G , G09F9/30 338 , G09F9/30 365Z , H01L21/20 , H05B33/14 A , H01L29/78 612B , H01L29/78 618Z

Fターム (66件)：

3K007AB02 , 3K007AB03 , 3K007AB17 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5C094AA05 , 5C094AA10 , 5C094AA21 , 5C094AA48 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094DA14 , 5C094EA04 , 5C094FA01 , 5C094FB01 , 5C094FB20 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052EA01 , 5F052EA12 , 5F052JA01 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE24 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG23 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110NN73 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP11 , 5F110PP23 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

直流安定化電源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-354346 出願人：シャープ株式会社

前のページに戻る