特許

J-GLOBAL ID：200903048935466774

有機EL素子の製造方法

発明者： 中谷 賢司 ,  小堀 勇 ,  田辺 宏
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074553
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255987
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 電極-有機層界面での密着性を改善し、長寿命、高表示品質の有機EL素子が製造可能で、有機EL素子の構成膜に物理的ダメージを与えない有機EL素子の製造方法を実現する。【解決手段】 所定の空間を隔てて平行に対向する一対のターゲットと、前記ターゲットの面に対しほぼ垂直方向に磁界を発生する磁界発生手段と、前記ターゲットの対向する面以外の部分覆うように設けられたシールドとを有し、前記ターゲット間の空間と対向する位置に基板を配置するよう構成された対向ターゲット式スパッタ装置を用い、前記ターゲットとシールド間に所定の電圧を印加し、前記基板上に形成された有機EL構造体上に、スパッタ法にて電極を成膜する製造方法とした。

請求項（抜粋）：

所定の空間を隔てて平行に対向する一対のターゲットと、前記ターゲットの面に対しほぼ垂直方向に磁界を発生する磁界発生手段と、前記ターゲットの対向する面以外の部分覆うように設けられたシールドとを有し、前記ターゲット間の空間と対向する位置に基板を配置するように構成した対向ターゲット式スパッタ装置を用い、前記ターゲットとシールド間に所定の電圧を印加し、前記基板上に形成された有機EL構造体上に、スパッタ法にて電極を成膜する有機EL素子の製造方法。

IPC (4件)：

H05B 33/26 ,  C23C 14/12 ,  C23C 14/34 ,  H05B 33/10

FI (4件)：

H05B 33/26 ,  C23C 14/12 ,  C23C 14/34 D ,  H05B 33/10