特許
J-GLOBAL ID:200903048942398555
多層回路基板及びその作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-160538
公開番号(公開出願番号):特開2001-339159
出願日: 2000年05月30日
公開日(公表日): 2001年12月07日
要約:
【要約】【課題】 金属配線が剥離し、或いは断線する等の問題が解消された多層回路基板、及び簡易化された工程でこのような多層回路基板を作製する方法を提供する。【解決手段】 本多層回路基板26は、回路基板28と、回路基板28上に、順次、形成された絶縁層30及び金属配線層31とを備え、金属配線層31、絶縁層30及び回路基板28を貫通したビアホール36を介して、金属配線層31に形成された配線パターンと回路基板28に形成された基板配線パターン27とを相互に電気的に接続している。金属配線層31の配線パターンは、絶縁層30との密着強度が高い第1の配線パターン32と、絶縁層30との密着強度が第1の配線パターン32より低く、かつ、第1の配線パターン32より微細な第2の配線パターン34とを備える。第1の配線パターン32は、絶縁層30との接触面が粗化され、かつ、熱プレスにより接触面が絶縁層30に密着された銅箔40から成り、第2の配線パターン34は、絶縁層30上にめっき処理で形成されためっき金属膜46から成る。
請求項(抜粋):
回路基板と、回路基板上に、順次、形成された絶縁層及び金属配線層とを備え、金属配線層、絶縁層及び回路基板を貫通したビアホールを介して、金属配線層に形成された配線パターンと回路基板に形成された基板配線パターンとを相互に電気的に接続するようにした多層回路基板において、金属配線層の配線パターンは、絶縁層との密着強度が高い第1の配線パターンと、絶縁層との密着強度が第1の配線パターンより低く、かつ、第1の配線パターンより微細な第2の配線パターンとを備え、第1の配線パターンは、絶縁層との接触面が粗化され、かつ、熱プレスにより接触面が絶縁層に密着された金属箔から成り、第2の配線パターンは、絶縁層上にめっき処理で形成されためっき金属層から成ることを特徴とする多層回路基板。
IPC (2件):
FI (3件):
H05K 3/46 G
, H05K 3/46 E
, H05K 3/38 B
Fターム (17件):
5E343AA07
, 5E343BB67
, 5E343DD32
, 5E343DD76
, 5E343EE43
, 5E343GG02
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346DD12
, 5E346DD22
, 5E346EE09
, 5E346EE19
, 5E346FF04
, 5E346GG22
, 5E346HH11
, 5E346HH25
, 5E346HH32
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