特許

J-GLOBAL ID：200903048953314590

半導体装置およびその製造方法

発明者： 石川 正行 ,  西川 幸江 ,  斎藤 真司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154691
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030202
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】GaAs基板上にワイドギャップ II-VI族化合物半導体からなる化合物半導体層を形成しても素子特性の劣化を防止し得る構造の半導体装置(半導体レーザ,LED,HBT,etc )を提供すること。【構成】半導体レーザの場合には、p型GaAs基板1と、このp型GaAs基板1上に設けられたp型InGaP表面層2と、このp型InGaP表面層2上に設けられたp型InGaAlPワイドキャップ層3と、このp型InGaAlPワイドキャップ層3上に設けられ、p型ZnSe下部クラッド層6とn型ZnSe上部クラッド層8とで挾持されたCdZnSe/ZnSe量子井戸活性層7とを備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaAsからなる半導体基板と、この半導体基板上に形成され、In,GaおよびPからなる半導体表面層と、この半導体表面層上に形成され、 II-VI化合物半導体からなる化合物半導体層とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/73 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体成長用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079718   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016258   出願人：株式会社東芝