特許

J-GLOBAL ID：200903048958815580

スパッタリング装置

発明者： 有賀 芳樹 ,  北原 洋明
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-023280
公開番号（公開出願番号）：特開平8-260140
出願日： 1987年06月11日
公開日（公表日）： 1996年10月08日
要約：

【要約】【課題】 ターゲットから基板へ到達するスパッタ原子は様々な入射角度を持ち、ホール段差部の作る影およびセルフシャドウイング効果のため、ホールの底部へは殆ど膜堆積がなされない。【解決手段】 基板7に向かって飛行するスパッタ粒子の飛行方向を基板7の表面に形成された溝又は穴の深さ方向に規制する方向規制装置6が、ターゲット5と基板7との間の空間に設けられている。方向規制装置6は導電体で作られているとともにアース電位に保持されており、方向規制装置6をアースに接続する連絡部10には放電観測用の計測器が接続されている。方向規制装置6によって基板7の表面に対してほぼ垂直な入射角を持つスパッタ粒子62だけが基板7の表面に入射し、溝又は穴の底面への膜堆積が効果的に行われる。膜堆積中のプラズマや放電の状態が計測器によって観察される。

請求項（抜粋）：

基板の表面に設けられた溝又は穴に薄膜を堆積させるスパッタリング装置において、ターゲットと該基板との間の空間に、該基板に向かって飛行するスパッタ粒子の飛行方向を、該溝又は穴の深さ方向に規制する方向規制装置が設けられ、該方向規制装置は導電体で作られているとともにアース電位に保持されるものであり、さらに、該方向規制装置をアースに接続する連絡部には放電観測用の計測器が接続されていることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/34 G ,  C23C 14/34 U ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S