特許

J-GLOBAL ID：200903048966070356

珪素化合物膜のエツチング方法及び該方法を利用した物品の形成方法

発明者： 小山 修司 ,  柴田 誠 ,  笠本 雅己
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059117
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090221
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、Al反応生成物の付着による問題点や重合膜形成による問題点を解決した珪素化合物膜のエッチング方法及び該方法を利用した物品の形成方法を提供することにある。【構成】 本発明は、CHF3 ガスとC2 F6 ガスのガス流量比(CHF3/C2 F6 )を1〜6、かつエッチング圧力を40〜120Paにして珪素化合物膜のエッチングを行なう珪素化合物膜のエッチング方法及び該方法を利用した物品の形成方法である。【効果】 本発明は、珪素化合物と、Si、レジスト等とのエッチングの選択比が充分大きく、珪素化合物膜のエッチングレートが速く、かつ、Al反応生成物の付着による問題点や重合膜形成による問題点の解決を可能にした。

請求項（抜粋）：

CHF3 ガスとC2 F6 ガスのガス流量比(CHF3 /C2F6 )を1〜6、かつエッチング圧力を40〜120Paにして珪素化合物膜のエッチングを行なうことを特徴とする珪素化合物膜のエッチング方法。