半導体レーザ装置、およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128628
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338655
出願日： 1993年05月31日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】キャップ層を貫通して上クラッド層に至るZn拡散領域を有する半導体レーザ装置において、Zn拡散領域の拡散フロントの位置を制御する。【構成】上クラッド層を2層構造とし、キャップ層6に近い側の層5をZn拡散速度の速い(Al)GaInPとし、活性層3に近い側の層4をZn拡散速度の遅いAlGaAsとし、かつ上記AlGaAs層4の厚みはZn拡散領域8の底と活性層3との距離の所望値hに等しくする。Zn拡散工程において、Zn拡散領域8がキャップ層6を貫通して、(Al)GaInP上クラッド層5中を進んでいってAlGaAs層4に到達すると、その時点で拡散速度が格段に遅くなるので、拡散が自動的に停止する。【効果】 Zn拡散領域を制御性良く形成でき、歩留りが向上する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に、第1導電型の下クラッド層,活性層,第2導電型の上クラッド層,及び第1導電型のキャップ層をこの順に有し、該キャップ層を貫通して該上クラッド層の中ほどにその拡散フロントを有する不純物拡散領域を形成してなる半導体レーザ装置において、上記上クラッド層を、第1上クラッド層と第2上クラッド層とからなる2層構造とし、上記活性層に近い方の第1上クラッド層が該不純物の拡散速度の遅い第1の結晶層、活性層から遠い方の第2上クラッド層が該不純物の拡散速度の速い第2の結晶層からなり、前記不純物拡散領域の拡散フロントが該第1の結晶層と第2の結晶層の界面近傍にあることを特徴とする半導体レーザ装置。

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