高誘電率誘電材料への酸窒化シリコン層の形成

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：長谷川芳樹 , 山田行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-527310
公開番号（公開出願番号）：特表2008-500742
出願日： 2005年05月12日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

本発明の実施形態は、基板上に配置された誘電層上にキャッピング層を堆積するための方法を提供する。一例では、プロセスは、基板を堆積プロセスに曝して、この上に誘電層を形成するステップと、該基板をシリコン前駆体および酸化ガスの順次パルスに曝して、堆積プロセス中にシリコン含有層を該誘電層上に形成するステップと、該基板を窒化プロセスに曝して、この上にキャッピング層を形成するステップと、所定の時間該基板をアニーリングプロセスに曝すステップとを含む。該キャッピング層は約5Å以下の厚さを有していてもよい。一例では、該酸化ガスが、触媒を含有する水蒸気生成器によって処理された水素源ガスおよび酸素源ガスから生じた水蒸気を含有する。別の例では、該堆積、窒化およびアニーリングプロセスが同じプロセスチャンバで生じる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に配置された誘電層上にキャッピング層を堆積するための方法であって、基板を堆積プロセスに曝して、この上に誘電層を形成するステップと、前記基板をシリコン前駆体および酸化ガスの順次パルスに曝して、堆積プロセス中に前記誘電層上にシリコン含有層を形成するステップと、前記基板を窒化プロセスに曝して、この上に窒素含有シリコン層を形成するステップと、前記基板をアニーリングプロセスに曝して、キャッピング層を形成するステップと、を備える方法。

IPC (9件)：

H01L 21/318 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/283 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (9件)：

H01L21/318 C , H01L21/318 M , H01L29/78 301G , H01L29/78 617V , H01L29/78 617U , H01L29/78 617T , H01L21/283 B , H01L29/58 G , H01L27/04 C

Fターム (59件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH05 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC16 , 5F038AC18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF74 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF26 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BA13 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD06 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04

前のページに戻る