特許

J-GLOBAL ID：200903048972627192

静電吸着装置及びその製造方法並びにそれを用いた加工装置

発明者： 村上 元 ,  児島 慶享 ,  望月 康弘 ,  岡田 亘右 ,  瀬戸山 英嗣 ,  石黒 浩二 ,  竹森 聖 ,  関 博文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225319
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061404
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：

【要約】【課題】静電吸着装置の誘電体層の絶縁破壊強度を低下させることなく、その耐熱衝撃性を向上させる。【解決手段】本静電吸着装置の電極4と誘電体層2との間には、電極4の成分元素と誘電体の成分元素を含む混合層3が介在させてある。そして、誘電体層2は、結晶構造が層状に変化する層状構造を有している。但し、その内の少なくとも一層2Aは、誘電体材料の結晶がZ方向に柱状に成長した柱状構造を有している。そして、この柱状構造層2Aの下層2Bは、高強度な結晶構造、即ち、誘電材料の結晶が粒成長した緻密構造、若しくは、結晶粒界のない単結晶構造を有している。

請求項（抜粋）：

電極層に電圧を印加することにより、前記電極層上に形成された誘電体層と物体との間に静電吸引力を生じさせて、前記誘電体層の表面に前記物体を吸着する静電吸着装置であって、前記誘電体層は、前記電極から離れる方向に柱状に結晶が成長した柱状構造を有することを特徴とする静電吸着装置。

IPC (3件)：

C23C 14/50 ,  B23Q 3/15 ,  B25J 15/06

FI (3件)：

C23C 14/50 A ,  B23Q 3/15 D ,  B25J 15/06 S