特許

J-GLOBAL ID：200903048973456219

薄膜作製装置及び薄膜作製装置の使用方法

発明者： 秋元 健吾
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181820
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】 本願発明は、スパッタ成膜、CVD成膜,蒸着成膜チャンバーに新たな真空度を高める手段を追加する方法を提供し、装置のスループットを向上させることを課題とする。【解決手段】真空成膜チャンバー内に、例えばTi製のフィラメントを設け、蒸発が出来る手段を備え、フィラメント材が蒸発後、真空成膜チャンバーの内壁などに固着する構造にすれば、チャンバー自体が真空度を高める機能をもつことになる。フィラメントの蒸発手段に関しては、本願発明ではその手段が簡便なことから、通電加熱して蒸発する方法を特徴とする。

請求項（抜粋）：

内部を減圧状態にすることが可能な反応室と、前記反応室の外部に設けられ、前記反応室に接続された排気手段と、前記反応室の内部に設けられたゲッター手段とを有し、前記ゲッター手段は、Ti、Ta、Mo、Nb、Baから選ばれた一種または複数種の元素から成るフィラメントと、前記フィラメントの加熱手段と、を有することを特徴とする薄膜作製装置。

IPC (2件)：

C23C 14/00 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

C23C 14/00 B ,  C23C 16/44 J

Fターム (11件)：

4K029BA11 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB00 ,  4K029DC00 ,  4K029FA09 ,  4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• フライホイール装置及びその運転方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-251455   出願人：高橋勲, 関西電力株式会社, 三菱電機株式会社
• 特開昭63-291421