特許

J-GLOBAL ID：200903048973596045

磁性薄膜メモリ

発明者： 佐藤 雄一 ,  大池 太郎 ,  野口 潔 ,  荒木 悟 ,  篠浦 治
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244993
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091951
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 同一の読み出し線に接続された複数の磁性薄膜メモリ素子に記録されている情報を、同時に2素子以上再生することができ、メモリの高速化に好適な磁性薄膜メモリ素子を提供することを目的とする。【解決手段】 磁気抵抗効果を示す磁性薄膜に情報を記憶する磁性薄膜メモリに於いて、再生出力電圧の異なる2種類以上の前記磁性薄膜からなる単位素子が同一の読み出し線上に電気的に直列に接続されたことを特徴とする磁性薄膜メモリ。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果を示す磁性薄膜に情報を記憶する磁性薄膜メモリに於いて、再生出力電圧の異なる2種類以上の前記磁性薄膜からなる単位素子が同一の読み出し線上に電気的に直列に接続されたことを特徴とする磁性薄膜メモリ。