マイクロ波導入窓及びマイクロ波プラズマ生成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107229
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295796
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】マイクロ波導入窓からマイクロ波を導入して反応処理を行なう装置において、低パワーでの放電開始を可能とし、必要以上の定格を持つ電源の使用が避けられ、長時間にわたる安定放電が得られる装置を得る。【構成】円筒導波路と同径かそれ以上の直径の誘電体からなる円柱円盤1と、該円盤上に設置されたn個(nは自然数)の誘電体ブロック2とを有するマイクロ波導入窓であり、前記円柱円盤と誘電体ブロックのマイクロ波の進行方向に対して垂直な面の面積をそれぞれS1、S2、マイクロ波の進行方向の厚さをそれぞれL1、L2とし、前記円柱円盤中のマイクロ波の波長をλとする場合、L1+L2/(S1/nS2)で表される長さが(1/2λ-1/50λ)以上(1/2λ+1/50λ)以下であることを特徴とするマイクロ波導入窓及びこれを具備した装置。

請求項（抜粋）：

マイクロ波導入窓からマイクロ波を導入して反応処理を行なう装置の前記マイクロ波導入窓において、前記マイクロ波導入窓は、円筒導波路と同径かそれ以上の直径の誘電体からなる円柱円盤と、該円盤上に設置されたn個(nは自然数)の誘電体ブロックとを有し、前記円柱円盤のマイクロ波の進行方向に対して垂直な面の面積をS1、マイクロ波の進行方向の厚さをL1とし、前記誘電体ブロックのマイクロ波の進行方向に対して垂直な面の面積をS2、マイクロ波の進行方向の厚さをL2とし、前記円柱円盤中のマイクロ波の波長をλとする場合、L1+L2/(S1/nS2)で表される長さが(1/2λ-1/50λ)以上(1/2λ+1/50λ)以下であることを特徴とするマイクロ波導入窓。

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