特許
J-GLOBAL ID：200903048983894052
半導体デバイスに関する改良
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131865
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335615
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【解決手段】移動度劣化結晶シリコン、たとえば多結晶シリコンを用いる半絶縁体14から成る層にボンデッドされたシリコンデバイス層を備えるボンデッドウエハ10によって構成される半導体デバイス。層20内のデバイスが0.1GHzを超える周波数において作動される際、層14が、抵抗性損失を減少させるために十分な厚さを有し、また基板16は十分に導電性である。層20内のデバイス間のクロストークを阻止するために、基板16は十分に導電性であり、また半絶縁性物質14は十分に抵抗性である。
請求項（抜粋）：
ハンドル基板と、ハンドルウエハ上の半絶縁層と、絶縁層と、絶縁層上の単結晶シリコンから成るデバイス層であって、半絶縁層が所定の厚さを有することを特徴とする、高周波数における損失およびクロストークを減少させるために半絶縁層によってボンディングされたウエハにより構成される半導体デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
