特許

J-GLOBAL ID：200903048989157149

磁気検出素子

発明者： 柳 道男
出願人/特許権者： キヤノン電子株式会社
代理人 (1件)： 加藤 卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086553
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288568
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】 磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子であって、磁性薄膜から構成され、インピーダンスの変化率が大きく、高感度の磁気検出素子を提供する。【構成】 磁性薄膜1を成膜した非磁性のセラミックス基板2をプリント基板3に固定し、磁性薄膜1の両端部を半田4で接続し、端子として磁気検出素子が構成される。MIは元素のZr,Hf,Nb,Ta,Mo,Wのうち少なくとも一種類、MIIは元素のAg,Cuのうち少なくとも一方であるとして、薄膜1の組成をFe-Al-MI-MII-C-O、あるいはLは希土類元素の少なくとも1種類であるとして、Fe-Al-MI-MII-C-O-Lとし、それぞれの添加量を適当に設定することにより、インピーダンスの変化率が大きく、高感度の磁気検出素子を構成できる。

請求項（抜粋）：

磁気インピーダンス効果を利用した磁気検出素子において、a,b,c,d,e,fは原子%の組成比の値を示し、MIは元素のZr,Hf,Nb,Ta,Mo,Wのうち少なくとも一種類、MIIは元素のAg,Cuのうち少なくとも一方であるとして、組成がFea Alb MIc MIId Ce Ofの組成式で表され、前記a,b,c,d,e,fのそれぞれの値は、a+b+c+d+e+f=1000.5≦b≦202≦c≦250.05≦d≦50.5≦e≦250.2≦f≦6である磁性薄膜から構成したことを特徴とする磁気検出素子。

IPC (4件)：

H01L 43/00 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01L 43/00 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 ,  G01R 33/06 R