特許

J-GLOBAL ID：200903048991476979

拡張ドレインRESURF横型DMOS素子並びに製造方法

発明者： チャ - ク ピーター メイ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120341
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297401
出願日： 1995年04月10日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】高電圧MOSトランジスタ素子の導通時抵抗値を改善することを目的とする。【構成】MOSトランジスタ素子のゲートフィールド酸化物を切りつめ、ドレイン領域を可能な限りチャンネル領域に近づけて生成できるようにし、ドレインとソースとの間の距離を短くして導通時抵抗値を減少させる。

請求項（抜粋）：

高電圧金属酸化物半導体、MOS、素子の製造方法であって:軽くドープされたドリフト領域を覆う厚いゲートフィールド酸化物形状を有し、該厚いゲートフィールド酸化物が前記ゲートフィールド酸化物形状を超えて広がる薄いゲート酸化物で覆われている、高電圧MOS素子を用意し;厚いゲートフィールド酸化物と覆っている薄いゲート酸化物の一部を、軽くドープされたドリフト領域の一部が曝し出され、厚いゲートフィールド酸化物形状の残された幅が、厚いゲートフィールド酸化物形状の最小成長形状寸法よりもかなり小さくなるように除去し;そして軽くドープされたドリフト領域の曝し出された部分にドレインを形成する、以上の手順を含む前記製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 W ,  H01L 27/08 321 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-273165
  
• 特開平4-273165
  
• 特開昭61-166154
  
• 特開昭61-166154