特許

J-GLOBAL ID：200903048994518532

半導体集積回路の製造方法並びにその製造装置

発明者： 望月 康弘 ,  岡田 亘右
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021741
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219950
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】VLSIのアスペクト比の大きいトレンチ型アイソレーションや多層配線用の絶縁膜の形成において、溝部にボイドが生じないように絶縁膜を完全に充填し、高信頼性の配線システムや誘電体分離基板を製造する。【解決手段】被処理基板に(1)プラズマCVDによりシリコン膜をプラズマ酸化によりシリコン酸化膜(SiO2 )に改質させる。このサイクルを繰り返すことにより溝を完全に充填し、CMP(超精密化学的機械的研磨)を適用して平坦化できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の溝開口部にシリコン酸化膜を主成分とする絶縁膜を充填形成する方法において、溝部開口内面にシリコン膜を堆積させた後、該シリコン膜を酸化させてシリコン酸化膜に改質することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/316 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/88 K