特許

J-GLOBAL ID：200903048996437432

読出前にプリチャージ及び平衡化をするメモリ読出回路

発明者： ジャン-マリー ゴーティエ ,  エミリオ ミゲル イエロ
出願人/特許権者： エスジェーエス-トムソン ミクロエレクトロニクス ソシエテ アノニム
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203599
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215586
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 集積回路の形のメモリ、特に、不揮発性メモリの読出回路において、読出速度と読み出された情報の信頼性の間でより良好な妥協策を得るために、差動増幅器AD、読出段階の前にビット線をプリチャージする手段T1、T2、及び読出段階前に差動増幅器の入力電位を平衡させる手段を備える読出回路を提案する。【構成】 平衡化手段は、1つの入力が差動増幅器ADの出力に接続され、平衡化段階の間差動増幅器の出力電圧を無効にしようとする方向にビット線BL内充電電流を注入するように接続されたホロワ増幅器ASを備える。直列トランジスタが、読出の速度を速くするために使用される。

請求項（抜粋）：

メモリセルが接続された少なくとも1つのビット線と、差動増幅器、読出段階の前に上記ビット線をプリチャージする手段及び読出段階前に上記差動増幅器の入力電位を平衡させる手段を備える読出回路とを備える集積回路形のメモリであって、上記平衡化手段は、入力が上記差動増幅器の出力に接続され、平衡化段階の間に該差動増幅器の出力電圧を無効にしようとする方向にビット線内に充電電流を導入するように接続されるホロワ増幅器を備えることを特徴とするメモリ。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  G11C 11/41 ,  G11C 11/409

FI (3件)：

G11C 17/00 309 B ,  G11C 11/34 M ,  G11C 11/34 354 A