特許

J-GLOBAL ID：200903049000157834

半導体超微粒子の製造方法及び製造装置

発明者： 齊田 壮一郎 ,  加和 学
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-154766
公開番号（公開出願番号）：特開2002-079076
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2002年03月19日
要約：

【要約】【課題】 粒径分布が狭く且つ吸発光特性の優れた半導体超微粒子を生産性良く製造する方法を提供する。【解決手段】 電気陰性度が2.0以下である陽性元素を含有する第1物質と下記一般式(1)で表されるカルコゲン化合物類である第2物質とを半導体原料とし両者を管状流通反応器内部の液相中で接触させてカルコゲン化物半導体結晶を生成させ、かつ両者の接触時点の該液相のレイノルズ数が1以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。M1M2E (1)(但し、一般式(1)においてM1及びM2は周期表第1族元素又はオニウム残基を表し、Eは周期表第16族元素を表し、M1及びM2は互いに異なっていてもよい。)

請求項（抜粋）：

電気陰性度が2.0以下である陽性元素を含有する第1物質と下記一般式(1)で表されるカルコゲン化合物類である第2物質とを半導体原料とし両者を管状流通反応器内部の液相中で接触させてカルコゲン化物半導体結晶を生成させ、かつ両者の接触時点の該液相のレイノルズ数が1以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。【化1】M1M2E (1)(但し、一般式(1)においてM1及びM2は周期表第1族元素又はオニウム残基を表し、Eは周期表第16族元素を表し、M1及びM2は互いに異なっていてもよい。)

IPC (2件)：

B01J 19/00 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

B01J 19/00 N ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 D

Fターム (14件)：

4G075AA27 ,  4G075AA70 ,  4G075BA02 ,  4G075BD16 ,  4G075EB21 ,  4G075EC11 ,  4G075FB01 ,  4G075FC13 ,  5F041CA03 ,  5F041CA41 ,  5F041CA42 ,  5F041CA43 ,  5F041CA44 ,  5F041CA46