電磁波の位相情報および/または振幅情報を調べるための方法と装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：重信和男 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-512124
公開番号（公開出願番号）：特表2000-517427
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】本発明は、電磁波の位相および/または振幅情報を調べる方法と、その装置に関するものである。かかる方法で得られた画像データの空間深さ分解能を提供するために、本発明による方法は以下の段階を含む:少なくとも2つの感光変調光ゲートGamとGbmおよび関連蓄積ゲートGaとGbを有する少なくとも1つの画素を含む光混合素子の表面に電磁波が照射され、Uam(t)=U0+Um(t)およびUbm(t)=U0-Um(t)として構成されている変調光ゲート電圧Uam(t)およびUbm(t)が、変調光ゲートGamおよびGbmに印加される段階;U0および変調電圧Um(t)の振幅以上の大きさを持つ直流電圧が、蓄積ゲートGaおよびGbに印加される段階;入射電磁波によって変調光ゲートGamおよびGbmの空間電荷領域に生じた電荷キャリアが、変調光ゲート電圧Uam(t)とUbm(t)の極性の関数として、ドリフト電界の電位勾配および対応蓄積ゲートGaまたはGbへのドリフトを受けさせられる段階;蓄積ゲートGaおよびGbにドリフトされた電荷qaとqbがそれぞれ転送(divert)される段階。当該光混合素子は、少なくとも1つの画素を有している。該画素は、少なくとも2つの感光変調光ゲート(Gam,Gbm)と、該変調光ゲートに対応し、入射電磁波によって区分されている蓄積ゲート(Ga,Gb)とから構成されている。複数の光混合素子をアセンブルすることによってアレイを形成できる。

請求項（抜粋）：

電磁波の位相および/または振幅情報を決定する方法において、 -電磁波を少なくとも1つの画素を有する光混合素子の表面に照射し、上記の画素は少なくとも2つの感光変調光ゲートGamとGbmおよび関連する蓄積ゲートGaとGbを有し、 -上記の変調光ゲートGamとGbmにUam(t)=Uo+Um(t)およびUbm(t)=Uo-Um(t)の形式の変調光ゲート電圧Uam(t)とUbm(t)を加え、 -上記の蓄積ゲートGaとGbに大きさがUoの合計と少なくとも同じ大きさのdc電圧と変調電圧Um(t)の振幅を印加し、 -入射電磁波によって変調光ゲートGamとGbmの空間電荷領域に生成された電荷キャリアを変調光ゲート電圧Uam(t)とUbm(t)の極性および上記の対応する蓄積ゲートGaとGbに対するドリフトに応じてドリフト電界のポテンシャルグラディエントに照射し、 -それぞれの蓄積ゲートGaとGbにドリフトした上記の電荷qaとqbを取り去ることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

G01J 9/00 , G01S 7/48 , G02F 1/01

FI (3件)：

G01J 9/00 , G01S 7/48 Z , G02F 1/01 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

CCD型固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-090926 出願人：ソニー株式会社
特開平2-087668

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