特許
J-GLOBAL ID:200903049003721129

バンプ付ICチップ及びそのバンプ形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-136406
公開番号(公開出願番号):特開平10-335382
出願日: 1997年05月27日
公開日(公表日): 1998年12月18日
要約:
【要約】【課題】 バンプ形成工程の簡易化と短絡不良の防止と耐熱疲労信頼性向上による実装工程の簡易化及び安定化とを図ったバンプ付ICチップ及びそのバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 ICチップ本体2裏面の電極3に孔40を位置させた状態でパッシベーション膜4がICチップ本体2裏面の略全面を覆い、孔40と連通した孔50を有した厚膜レジスト5がパッシベーション膜4を覆っている。そして、孔40内には、電極3と電気的に接続したバリアメタル6が設けられており、バリアメタル6と電気的に接続した半田バンプ7が孔50内に充填されている。この半田バンプ7の頭部70は厚膜レジスト5の面よりも若干突出している。
請求項(抜粋):
裏面に電極を有したICチップ本体と、上記電極と電気的に接続された状態で上記ICチップ本体裏面に突設されたバンプと、上記バンプの周面を囲んだ状態で上記ICチップ本体裏面の略全面を覆う厚膜レジストとを具備することを特徴とするバンプ付ICチップ。
IPC (3件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/321
FI (4件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 604 A

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