特許

J-GLOBAL ID：200903049014464713

表示装置及びその製造方法

発明者： 中 村 卓 ,  多 田 典 生
出願人/特許権者： 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-254851
公開番号（公開出願番号）：特開2004-093894
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】表示品質と画像取込み性能に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】表示装置の製造工程にてTFT11のチャネル部とフォトダイオードD1,D2のI層をともに水素化する際、TFT11とフォトダイオードD1,D2とで水素化の進行に違いが出るようにして、TFT11のチャネル部の欠陥密度を少なくし、かつフォトダイオードD1,D2のI層の欠陥密度を多くする。これにより、TFT11のリーク電流が抑制され、フォトダイオードD1,D2の光に対する感度を向上できる。【選択図】 図12

請求項（抜粋）：

縦横に列設される信号線及び走査線の各交点付近に形成される表示素子と、 前記表示素子のそれぞれに対応して少なくとも一個ずつ設けられ、それぞれが指定された範囲の入射光を受光して電気信号に変換する光電変換部と、を備え、 前記光電変換部は、p層とn層との間に形成されたI層を有し、このI層の欠陥密度は、前記表示素子のチャネル部の欠陥密度よりも高いことを特徴とする表示装置。

IPC (6件)：

G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

FI (5件)：

G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/35 ,  H01L27/14 C ,  H01L29/78 612Z

Fターム (73件)：

2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA31 ,  2H092JA46 ,  2H092JB44 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092LA02 ,  2H092LA03 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA14 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092PA07 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA05 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA20 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA03 ,  4M118GA04 ,  5C094AA10 ,  5C094AA15 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA20 ,  5C094DA20 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094GA01 ,  5C094HA08 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE06 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-267380   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (1件)

• 画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-267380   出願人：ソニー株式会社