半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211562
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061254
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】高性能の微細電界効果型トランジスタを得ることを可能にする。【構成】酸化性溶液中でシリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、シリコン酸化膜上にゲート電極を形成する第2の工程とを備え、この第2の工程後の工程を所定の温度以下で行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

酸化性溶液中でシリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、前記シリコン酸化膜上にゲート電極を形成する第2の工程とを備え、この第2の工程後の工程を所定の温度以下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (11件)

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