処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：亀谷美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150389
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312283
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【目的】エッチング処理装置において、被処理体表面のプラチナ層に対して、高い選択性でエッチング処理を可能とする。【構成】表面にプラチナ層を有する被処理体であるウェハWを、処理容器102内のサセプタ105上に載置し、処理ガス供給源121から酸素ガスを導入後、上部電極123及び下部電極となるサセプタ105に高周波電力を導入することにより、高いシース電圧が得られ、それにより高いエネルギーのプラズマが得られることから、安定性の高いプラチナ層に対しても、高い選択性でかつ高いエッチングレートで処理することが可能である。

請求項（抜粋）：

真空処理容器内において所定の処理ガスをプラズマ化し載置台に載置された被処理体に対してエッチング処理を施す処理装置であって、前記処理ガスとして酸素ガスのみを用い、前記被処理体の処理面に形成されたプラチナ層をエッチングすることを特徴とする、処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 E , H05H 1/46 C

前のページに戻る