半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143053
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335358
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の一面上にエミッタ電極とベース電極のように互いに入くんで存在する電極と接続導体との間に熱疲労のない接続を行う。【構成】上面電極を先すぼまりの突起電極として形成し、その頂部に基板面に平行に走る条状電極板の先端を接触させ、その接触を電極板を全面に加える半導体基板の厚さ方向の圧力により加圧接触とすることにより熱疲労の発生を防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第一主面の電極は全面で支持板とろう付けされ、第二主面の電極は複数の接続導体に接続されるものにおいて、第二主面の電極が、頂部に向かうにつれて横断面積の小さくなる形状をもつ突起電極として第二主面上に分散して形成され、その頂部に条状接続導体が半導体基板の厚さ方向に加えられる圧力のもとで接触することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 , H01L 21/60 311 , H01L 23/50

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-058253
特開平1-192125
特開平2-135763

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