特許
J-GLOBAL ID：200903049028620548
多層導体層構造デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271084
公開番号（公開出願番号）：特開平5-216070
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】低抵抗で、特にインジウムスズ酸化物用エッチング液耐性に優れ、基板との密着性の良好な導体材料で形成された導体を有する多層導体層構造デバイス液晶表示装置を提供する。【構成】本発明のデバイスは、基板11と、この基板上に形成され電極又は配線となる第1の導体層12と、この第1の導体層および前記基板を覆う絶縁膜13と、この絶縁膜上に形成され電極又は配線となるインジウムスズ酸化物からなる第2の導体層14とを備える。前記第1の導体層が、アルミニウムと、銅、金、ホウ素、ビスマス、コバルト、クロム、ゲルマニウム、鉄、モリブデン、ニオブ、ニッケル、パラジウム、白金、タンタル、チタン、タングステンおよび/または銀との合金で形成されている。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成され電極又は配線となる第1の導体層と、この第1の導体層および前記基板を覆う絶縁膜と、この絶縁膜上に形成され電極又は配線となるインジウムスズ酸化物からなる第2の導体層とを備え、前記第1の導体層が、アルミニウムと、銅、金、ホウ素、ビスマス、コバルト、クロム、ゲルマニウム、鉄、モリブデン、ニオブ、ニッケル、パラジウム、白金、タンタル、チタン、タングステンおよび銀の中から選ばれた少なくとも1種の元素との合金で形成されたことを特徴とする多層導体層構造デバイス。
IPC (6件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01B 5/14
, H01L 21/3205
, H01L 27/146
, H01L 29/784
H01L 21/88 M
, H01L 27/14 C
, H01L 29/78 311 A
