特許
J-GLOBAL ID：200903049031632255
電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源,撮像装置,画像形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090627
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285791
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 低電圧により素子を駆動する低電圧化が図れて、電界を乱れなく印加でき、放出電子の軌道を安定化でき、これを用いた電子源,撮像装置,画像形成装置について、扱う情報信号の再現性(解像度)を向上できる電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源,撮像装置,画像形成装置を提供する。【解決手段】 基板1上に、下部電極2,多層の誘電体層3,上部電極4を順に積層し、誘電体層3は多層構造にして最上層を、下層3aよりも比誘電率の小さい誘電体層3bとし、かつ最上層3bの厚さは下層よりも薄く形成する。多層の誘電体層3に、上下に貫通する細孔6を形成し、細孔6内に炭素もしくは金属からなる電子放出材5を設ける。駆動時の等電位面は誘電体層3bに集中し、電界の集中を上部電極4の直下に固定でき、高電圧を加えなくてもよい。多層の誘電体層3を堆積形成するので、厚さのばらつきを抑えて形成でき、電界の乱れを防げる。
請求項（抜粋）：
基体上に、下部電極,誘電体層,上部電極を順に設けて、前記誘電体層には細孔を形成すると共に、当該細孔内に少なくとも炭素あるいは金属からなる電子放出材を設けた電子放出素子において、前記誘電体層は多層構造にして最上層を、下層よりも比誘電率の小さい誘電体層としたことを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
