特許

J-GLOBAL ID：200903049034983806

半導体装置用配線構造およびその製造方法

発明者： 日野出 憲治 ,  宮▲崎▼ 博史 ,  武田 健一 ,  古沢 健志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-148545
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008036
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】配線間の容量が小さく、かつ機械的強度,絶縁耐性等の問題のない高性能の半導体装置用微細配線、それを備えた半導体装置を提供する。【構成】半導体基板表面に形成された絶縁層上もしくは絶縁層に取り囲まれるように形成された同一レベルの配線で、隣接して並走する部分に、隣接する配線間に、配線側面に接して形成されている領域より比誘電率の低い領域を有する配線において、配線側面に接して形成されている比誘電率の高い領域の配線側面における厚さをa,配線底面からはかった厚さをb,配線上面からはかった厚さをcとするとき、b<a、およびc<a、かつa>0の関係を満たす。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された絶縁層上もしくは絶縁層に取り囲まれるように形成された同一レベルの配線の隣接して並走する部分で、隣接する配線間の配線側面に接して形成されている絶縁領域より比誘電率の低い領域を有する配線構造において、配線側面に接して形成されている比誘電率の高い領域の配線側面における厚さをa(両側ほぼ同じとする。違う場合は平均値),配線底面からはかった厚さをb,配線上面からはかった厚さをcとするとき、b<a、およびc<a、かつa>0の関係を満たすことを特徴とする半導体装置用配線。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/90 V