特許
J-GLOBAL ID：200903049037495446
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119462
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315336
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【構成】マスク膜を用いた選択メッキ法により層間接続孔とその周囲部のみに第1低抵抗金属膜を形成し、マスク膜を除去する。さらにレーザー光を照射して、第1低抵抗金属膜を層間接続孔中にボイドレスで充填・平坦化する。次に第3導電膜層を全面に形成した後、第2マスク膜を用いたメッキ法により第2低抵抗金属膜を形成、不要部分を除去して配線化し、その上層に絶縁膜を形成する。【効果】低照射エネルギーで微細な高アスペクト比の層間接続孔への低抵抗金属膜のボイドレスの埋め込みが可能となり、高性能でエレクトロマイグレーション・ストレスマイグレーション耐性が良く高い長期信頼性を有する半導体装置を高い歩留で製造する事ができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた拡散層、多結晶シリコン層あるいは金属ケイ化物層とその上層に設けられた第1絶縁膜と前記第1絶縁膜に開口された層間接続孔よりなる構造を形成する工程あるいは半導体基板上に形成された第1絶縁膜、前記第1絶縁膜上に形成された単層あるいは複数層の導電膜より構成される下層配線、前記下層配線上に形成された第2絶縁膜および前記第2絶縁膜に開口された層間接続孔よりなる構造を形成する工程と、前記拡散層および第1絶縁膜上、あるいは前記下層配線および第2絶縁膜上に単層あるいは複数層の膜より構成される第1導電膜層を形成する工程と、前記第1導電膜層上に第2導電膜層を形成する工程と、前記層間絶続孔内部およびその周辺部に存在する第2導電膜層上のみが露出される第1マスク膜を形成する工程と、前記第1マスク膜をメッキマスクとしてメッキを行い、露出した第2導電膜層上に第1低抵抗金属膜を選択的に形成する工程と、第1マスク膜を除去する工程と、レーザー光を照射して第1低抵抗金属膜を溶融流動させて層間接続孔内部に第1低抵抗金属膜を充填させる工程と、その上層に第2導電膜層と同様の元素より構成される第3導電膜層を形成する工程と、前記第3導電膜層上に選択的に配線形成用の第2マスク膜を形成する工程と、前記第2マスク膜をメッキマスクとしてメッキを行い、露出した第3導電膜層上に第2低抵抗金属膜を選択的に形成する工程と、第2マスク膜を除去する工程と、露出した第3導電膜層の不要部分、第2導電膜層の不要部分および第1導電膜層の不要部分を順次除去して、第1導電膜層、第2導電膜層、第3導電膜層および第2低抵抗金属膜より構成される金属配線を形成する工程と、前記金属配線上に第3絶縁膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 K
