特許

J-GLOBAL ID：200903049038297354

炭化ケイ素表面に高品質パッシベーション層を形成する方法及びパッシベーション領域を有する炭化ケイ素基材のデバイス構造

発明者： ジョン・ダブリュー・パルマワー
出願人/特許権者： クリー リサーチ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-205230
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066192
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 炭化ケイ素の表面に高品質のパッシベーション層を形成する方法を提供する。【構成】 本方法は、デバイス構造の炭化ケイ素部分の上のケイ素含有材料の犠牲層を酸化する工程を含む。上記酸化により、犠牲層が実質的に消尽され、炭化ケイ素部分の上に酸化物のパッシベーション層が形成される。上記パッシベーション層は、該パッシベーション層を形成する酸化物層の電気的な完全性を損なう恐れのあるドーパントを実質的に含まない。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素の表面に高品質のパッシベーション層を形成する方法において、デバイス構造の炭化ケイ素部分のケイ素含有材料から成る犠牲層を酸化して該犠牲層を実質的に消尽させ、前記炭化ケイ素部分の上に酸化物のパッシベーション層を形成する工程を備え、前記パッシベーション層は、前記酸化物層の電気的な完全性を損なう恐れのあるドーパント並びに他のどのような化学種も実質的に含まないことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/864

FI (2件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/90 T