特許
J-GLOBAL ID：200903049046838747
配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151481
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124948
出願日： 1993年05月29日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 Al系材料を埋め込んで形成する配線形成方法について、全面にわたって高度な平坦化を達成する。【構成】 ?@基板1上に形成した凹部4,8にAl系材料10を高温成膜して埋め込み、その後不織布やエッチング液により研磨を行う。?A基板上の合わせ用アライメントマークを用いてリソグラフィ工程を行う際、合わせ用アライメントマーク以外の部分の凹部にAl系材料を高温成膜して埋め込み、その後研磨を行う。?B基板上にAl系材料を成膜してこれを埋め込み、その後、研磨法を用いて平坦化する際、Al系材料を平坦化した後、Al上に反射防止膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した凹部にAl系材料を高温成膜して埋め込み、その後研磨を行うことを特徴とする配線形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 N
